Quarz-Apparat Fusionsquarz-Halbleiter Waferträger Ultra dünn

Herkunftsort Shandong
Markenname ZKTD
Zertifizierung SGS, ISO
Modellnummer OEM-Produkte
Min Bestellmenge 1 PCS
Preis USD 50-150 /Pcs
Verpackung Informationen Holzkiste, Kartons, Perlbaumwolle
Lieferzeit 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen L/C,T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 100 Stück / Woche
Produktdetails
Größe OEM Mindestbestellmenge 1Stk
Name Halbleiterwaferträger
Hervorheben

Halbleiterwaferfördermaschine des fixierten Quarzes

,

ultra dünne Halbleiterwaferfördermaschine

,

dünne Siliziumscheibefördermaschine des Halbleiters ultra

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Produkt-Beschreibung

Quarz-Apparat Fusionsquarz-Halbleiter Waferträger Ultra dünn


Merkmale der Produkte:

Klar und sauber.

Hohe Homogenität

Hochtemperaturbeständig

Hohe Lichtübertragung

Anti-Chemie-Angriff


Betriebstemperatur:

Regelmäßige Betriebstemperatur: 1000°C

Arbeitstemperatur für kurze Zeit:1100°C

maximale sofortige Betriebstemperatur:1300°C


Mechanische Eigenschaften:

Mechanische Eigenschaften Referenzwert Mechanische Eigenschaften Referenzwert
Dichte 2.203 g/cm3 Refraktionsindex 1.45845
Druckfestigkeit >1100 MPa Koeffizient der thermischen Ausdehnung 5.5 × 10-7 cm/cm.°C
Biegefestigkeit 67 MPa Warme Arbeitstemperatur 1750 ~2050°C
Zugfestigkeit 48.3Mpa Die Temperatur für kurze Zeit 1300°C
Poisson-Verhältnis 0.14 ~0.17 Die Temperatur für eine lange Zeit 1100°C
Elastizationsmodul 71700Mpa Widerstandskraft 7×107Ω.cm
Scherenmodul 31000Mpa Dielektrische Festigkeit 250 ~400 Kv/cm
Hartigkeit der Motten 5.3 ~6.5(Schuppen der Motten) Dielektrische Konstante 3.7 ~3.9
Deformationspunkt 1280°C Dielektrischer Absorptionskoeffizient < 4 × 104
Spezifische Hitze ((20~350°C) 670 J/kg°C Dielektrische Verlustkoeffizient < 1 × 104
Wärmeleitfähigkeit ((20°C) 1.4 W/m°C


Quarz-Apparat Fusionsquarz-Halbleiter Waferträger Ultra dünn 0

Quarz-Apparat Fusionsquarz-Halbleiter Waferträger Ultra dünn 1