Fixierter Quarz-Halbleiterwafer-Fördermaschine ultra dünn

Herkunftsort Shandong
Markenname ZKTD
Zertifizierung SGS,ISO
Modellnummer OEM-Produkte
Min Bestellmenge 1 PCS
Preis USD 50-150 /Pcs
Verpackung Informationen Holzkisten, Kartons
Lieferzeit 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen L/C,T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 100000 PC/Woche

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Produktdetails
Größe OEM-Produkte MOQ 1 Stück
Name Halbleiterwaferträger
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Halbleiterwaferfördermaschine des fixierten Quarzes

,

ultra dünne Halbleiterwaferfördermaschine

,

dünne Siliziumscheibefördermaschine des Halbleiters ultra

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Produkt-Beschreibung

Fixierter Quarz-Halbleiterwafer-Fördermaschine ultra dünn

Wir werden auf die Forschung, die Fertigung und die Verkäufe von Quarzprodukten spezialisiert.
Die Hauptprodukte sind: Quarztiegel, Glasrohr des transparenten Quarzes, Quarzglasdiffusionsrohr, reibendes Mundquarzglasrohr, Objektträger des Quarzes, Quarzboot, Quarzwaren, Quarzhügel, Quarzstange, Leichtbaumaterial, medizinisches Gerät, wissenschaftliche Instrumente, etc.
Wir erinnern immer uns, die „Kunde die Mitte ist, Qualität sind der Schlüssel“. Wir tun unsere 100% Bemühungen, unsere Kunden erfüllt zu machen!

 

Produkteigenschaften:

Klar und sauber,

Hohe Homogenität

Hohe Temperatur beständig

Glanzpunktgetriebe

Antichemieangriff

 

Betriebstemperatur:

Regelmäßige Betriebstemperatur: °C 1000

Betriebstemperatur für kurzfristiges: 1100°C

sofortige arbeitende maximale Temperatur: 1300°C

 

Mechanisches Eigentum:

Mechanisches Eigentum Bezugswert Mechanisches Eigentum Bezugswert
Dichte 2.203g/cm3 Brechungskoeffizient 1,45845
Druckfestigkeit >1100Mpa Ausdehnungskoeffizient 5.5×10-7cm/cm.°C
Biegefestigkeit 67Mpa Heißarbeitentemperatur 1750~2050°C
Dehnfestigkeit 48.3Mpa Die Temperatur für kurze Zeit °C 1300
Poissons Verhältnis 0.14~0.17 Die Temperatur für eine lange Zeit °C 1100
Elastizitätsmodul 71700Mpa Widerstandskraft 7×107Ω.cm
Scherender Modul 31000Mpa Durchschlagsfestigkeit 250~400Kv/cm
Motten-Härte 5.3~6.5 (Motten-Skala) Dielektrizitätskonstante 3.7~3.9
Erweichungspunkt °C 1280 Koeffizient der dielektrischen Absorption <4>
Spezifische Wärme (20~350°C) °C 670J/kg Koeffizient des dielektrischen Verlustes <1>
Wärmeleitfähigkeit (°C) 20 1.4W/m °C  


Fixierter Quarz-Halbleiterwafer-Fördermaschine ultra dünn 0