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Quarz-Apparat Fusionsquarz-Halbleiter Waferträger Ultra dünn
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x| Größe | OEM-Produkte | MOQ | 1 Stück | 
|---|---|---|---|
| Name | Halbleiterwaferträger | ||
| Hervorheben | Halbleiterwaferfördermaschine des fixierten Quarzes,ultra dünne Halbleiterwaferfördermaschine,dünne Siliziumscheibefördermaschine des Halbleiters ultra | 
					||
Quarz-Apparat Fused Quarz Halbleiter Wafer Träger Ultra Dünn
Produktmerkmale:
Klar und sauber,
Hohe Homogenität
Hochtemperaturbeständig
Hohe Lichtdurchlässigkeit
Chemikalienbeständig
Arbeitstemperatur:
Reguläre Arbeitstemperatur: 1000°C
Arbeitstemperatur für kurze Zeit: 1100°C
Sofortige maximale Arbeitstemperatur: 1300°C
Mechanische Eigenschaften:
| Mechanische Eigenschaften | Referenzwert | Mechanische Eigenschaften | Referenzwert | 
| Dichte | 2,203 g/cm3 | Brechungsindex | 1,45845 | 
| Druckfestigkeit | >1100 MPa | Wärmeausdehnungskoeffizient | 5,5×10-7cm/cm.°C | 
| Biegefestigkeit | 67 MPa | Heißarbeitstemperatur | 1750~2050°C | 
| Zugfestigkeit | 48,3 MPa | Die Temperatur für kurze Zeit | 1300°C | 
| Poissonzahl | 0,14~0,17 | Die Temperatur für lange Zeit | 1100°C | 
| Elastizitätsmodul | 71700 MPa | Spezifischer Widerstand | 7×107Ω.cm | 
| Schermodul | 31000 MPa | Dielektrische Festigkeit | 250~400 kV/cm | 
| Mohshärte | 5,3~6,5(Mohs-Skala) | Dielektrizitätskonstante | 3,7~3,9 | 
| Verformungspunkt | 1280°C | Dielektrischer Absorptionskoeffizient | <4×104 | 
| Spezifische Wärme (20~350°C) | 670 J/kg °C | Dielektrischer Verlustfaktor | <1×104 | 
| Wärmeleitfähigkeit (20°C) | 1,4 W/m °C | ||
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